4挠场探测器及挠场计
最大的问题是 - 如何检测“第五种力”或者标量波或者挠场？最熟知的检测器是“Hodowanec capacitor detector” - [4] - 它用了一个大的电容器连接到了运算放大器IC来检测标量波：http://web.archive.org/web/20030 ... com/hodo9/hodo9.htm
其他的已知的检测器基于“巴克豪森 效应(Barkhauseneffect)”。它能根据外部的挠场辐射检测出材料的磁结构的变化，比如具有高度非线性的多晶矽钢。这个检测器已经由Robert Shannon在他的工作中描述了[5]或者这里： bark.html
V.Shkatov设计了很多不同种类的挠场探测器作为他的Torsi计。第一种是基于作为RF振荡器一部分的用作电感磁芯的铁氧体中磁属性的变化。他的别的种类的挠场探测器基于在陶瓷电容中使用材料的介电属性的变化。
其他的挠场发生器由A.Bobrov (俄罗斯)。它们的工作原理基于由钨-钨组合或者钨-氯-银组合的双电层中产生的微小电势，它们非常敏感但是它们太“慢”了 - 对挠场冲击的反应时间大概30秒钟或者更多！但是松弛并复位的时间更长 - 在这些挠场发生器中，需要花一个小时才能恢复到待命检测的状态。
图.11 – pH值差分挠场探测器
这种挠场探测器由于它们液体中的化学和物理过程，反应很慢。来自这些种类挠场探测器的信号必须被记录至少30分钟或者直到观测到pH值的任何变化。
一些挠场探测器由V.Zamsha开发并制作。但是他的第一个挠场探测器基于V.Shkatov的挠场计-TSM-021 - 它包含一个线圈(扼流圈)缠绕在铁氧体磁芯，并放置在两个磁铁之间，并且作为130KHz的RF发生器电路的一部分。
那里的磁铁用于“偏置调节”，来改变铁氧体磁芯的磁滞曲线的工作点，将有助于提高挠场探测器的灵敏度。
这个检测器使用了普通的陶瓷磁铁和具有高导磁率铁氧体磁芯的6.8mH的扼流圈。
当然当扼流圈放在磁铁中间，并且扼流圈距离两边磁铁的距离正确调节后，然后扼流圈的最终电感将会降低到大概4.5mH的数值 - 参考下图：
图.12 – 挠场探测器 - 两个磁铁之间的线圈, 注意磁铁排布方向!
它的工作原理基于在挠场的影响下，在线圈中心的铁氧体材料的磁属性会发生改变 - 所以RF发生器的频率就会跟着偏移了。
应该注意这个检测器的输出信号(频率漂移)不是太大 - 大概只有几赫兹吧 - 也许最大只有10Hz！这台挠场探测器的反应时间大概0.5秒。
这个检测器也可以用作电子罗盘，在这个配置中，如果我们把这个设备扼流圈的轴方向改为北极到南极的方向，频率大概能偏移高达400Hz。这是个单传感器挠场探测器。
和上面的类似，一些铁电体材料可以用来做挠场探测器。但是应该选用高介电属性的材料。
一些陶瓷电容器也可以用作挠场探测器里的传感器 - Y5V类型的具有“低”温度稳定性的电容连接到RC频率发生器，使其作为一个决定频率的元器件。
另一个挠场探测器通过使用光纤电缆来制作，工作原理基于在挠场辐射下，使光纤盘形电缆中的线性偏振光产生偏离：
图.13 – 光纤挠场探测器
为了防止任何来自红外光源的“极化偏移“，最好做双通道(差分)光纤挠场探测器。光纤螺旋线圈的直径大概20厘米，用了将近30米的光纤电缆来缠绕。线缆是SM类型的，0.9mm粗。光纤挠场探测器的工作原理和法拉第效应类似 - 偏转强磁场中的线性偏振光。应该注意，光纤挠场探测器可以做成任何形状 - 比如圆柱形的等等。。。这个挠场探测器和上面的其他的一样，都是单传感器类型。光纤挠场探测器做起来太贵了！
V.Zamsha也制作了一些基于强永磁铁产生磁场的相互作用的，基于抗磁性板(由热解石墨 - PG漂浮在磁铁上面)的重力场和反磁力的挠场探测器，挠场信号就来源于放在PG板上的照片图像。PG板覆盖着一些由一片片铝箔做成的导电电极，并且作为“电容器”连接到RF震荡电路。
参考下面磁-引力挠场探测器图片：
图.14 – 磁-引力挠场探测器
图.15 –MGTFD简化电路图
悬浮的PG板和磁铁的配置可以看成一个“可变”电容器，电容值能够被从置于悬浮PG板的照片图片发射出来的挠场影响。
那个“简易的”电容连接到RF(射频)震荡电路，产生大概1.75MHz的频率。所以如果引力变化了或者挠场信号从置于PG板上面的照片图像发出，那么所有力的平衡将会改变，就会导致PG板和磁铁根基的距离发生改变，结果就是震荡单元产生的信号会发生频率偏移。
应该注意的是这个挠场探测器对振动非常敏感 - 所以必须采取一些防止振动的措施！这个挠场发生器的反应时间大概0.5秒。这个挠场探测器仍在测试中。。。
这个挠场探测器和上面其他的一样都是单传感器类型。
应该考虑，挠场探测器中使用的材料非线性度越高，那么挠场探测器的灵敏度就越高。
所有的这些挠场探测器必须防止外部的干扰，比如温度，振动，电磁干扰，阳光直射，噪声等等。。。
然而在2012年，V.Zamsha提议使用新出来的旋转场效应晶体管作为挠场探测器的原件！那是因为它的工作原理是基于自旋极化的电子，这很好地符合了挠场理论。
基于自旋场效应晶体管的探测器在高速度上是非常有前途的，据信，它们将具有很好的灵敏度！所以晶体管的“gate(栅极)”端可以用作“传感输入口”，由于挠场辐射将会影响旋转电子的极化方向，进而导致旋转晶体管输出电流的变化。这些晶体管可以排列成阵列的样子，和数字摄像头类似。
基于阵列的挠场探测器是多传感器类型。
一旦挠场探测器设计出来，那么就有可能制作一台完整的设备来测量挠场，作为来自照片或物体或幽灵的挠场对比度。挠场对比度就像老式的黑白照片一样！
IGA-1也许是第一个商用的测量挠场的设备，由俄罗斯院士YuriKravchenko设计并制造。IGA-1的工作原理是基于测量作为物体发生的挠场一部分的电场。现在这个产品可以购买但是由于储备资金的原因，量特少。所以为了投资开发下一代的IGA-1，请把你的建议发给Yuri Kravchenko：电子邮件: astra.47@mail.ru 网站:
参考下面的IGA-1图片：
图.16 - 由Yuri Kravchenko做的地球物理学异常指示器 - IGA-1
但是V.Shkatov是少有的开发了很多好的挠场计的几个“富有”的科学家之一 - 他称之为“torsimer”(“Torsi-meter”的缩写) - 这里展示了一些：enko做的地球物理学异常指示器 - IGA-1：
图.17 - 由V.Shkatov制作的挠场计 TSM-021 - 1998
挠场计TSM-021中的工作原理是基于改变和震荡电路相连的线圈中心的铁氧体材料的磁属性。所以在挠场辐射下，铁氧体材料的磁属性会改变导致了频率偏移，可以通过里面的频率计读取。
图.18 - 由 V.Shkatov制作的挠场计 GRG-01 – 制作于 2010
在挠场计 GRG-01中的挠场传感器的工作原理是基于改变包含在CMOS IC内的用作震荡单元的材料的介电属性。应该注意这个挠场计有个激光束来读取来自于物体或图片的挠场对比度(TC)。激光束用来将间隔一段距离的图片的挠场信息传递到内部的挠场探测器。所以来自于物体或照片的挠场辐射将会引起CMOS振荡器的频率偏移，可以通过内置的频率计来读取。
V.Shkatov也制作了一些其他的挠场计，就先不在本书展示了。
其他的著名的设备还有由A.Andreev(乌克兰)设计的VEGA系列设备 - 基于测量挠场的电分量。
图.19 - 由A.Andreev制作的VEGA，乌克兰
据我们所知，在VEGA(VEGA-11)最新版本，A.Andreev实现了用特殊的本地TF振荡器作为“背光” - 它用来测量来自于物体或照片的挠场辐射信号。参考关于VEGA的网站：http://oooveles.com/o_kompanii/pribori_vega或者这里:
另外的名为“SEVA”的挠场计 - 由Mark Krinker(USA)制作。它们基于在2x2金属板之间的旋转电场。
图.20 – 由Mark Krinker制作的SEVA
应该注意的是来自物体或照片的奥拉也许不是一个标记(负或者正)只对应一点！如果一个物体或图片具有不同标记(负或者正)组成的奥拉区域，那么由单传感器的挠场探测器检测的整体有效信号将会很低！为了避免这个问题，我们需要一个多传感器(阵列)挠场探测器或者可以使用具有激光束“扫描”模式的单传感器挠场探测器。V.Shkatov开发了一个“扫描”方法 - 一个激光束用作从物体到挠场探测器挠场信息的“载体”。这使得挠场对比度的分辨率提高了，因为激光束的直径非常的小。
在“阵列”挠场探测器的情况下，物体或照片的每个区域都能都可以分别测量出其标记和“振幅”，结果将更加复杂。所以有很大希望自旋场效应晶体管将会成为制作这类阵列挠场探测器的基本元器件很好的候选人 - 就像现代的相机阵列一样。
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