“咸柑桔”的唐复制
本帖最后由 能量海 于 2017-8-8 02:32 编辑
第三章:静脉冲系统
“咸柑桔”的唐复制
论坛ID是“咸柑桔”的、中国的一个开发者非常成功地复制了唐·史密斯的重要装置。用12V在1至2A（24瓦）的输入把10个100瓦的灯泡点得雪亮。作者的视频：
这是那个视频的一些截频：
所用电路如下所示：
随后，一名墨西哥人在论坛发帖说：
您好，咸柑桔！
喜欢您的视频!! 非常欣赏你和你的团队在开发和完善唐•史密斯/特斯拉自由能源设备所做的大量工作。谢谢你投身于这样一个崇高的事业。
我被你的开关网络利用CREE CMF20120迷住了。你是怎样接线MOSFET的？
您用UCC3825A PWM来给出时钟信号>MOSFET>栅极驱动变压器(X3)>推挽晶体管>CMF20120？你串联CMF20120吗？对不起，这么多问题，但我的确对你的智慧印象深刻，并完全同意你的固态解决方案，勿庸置疑，其好处超过了特斯拉的传统的火花隙。
如果你能花时间来回答我的问题，我将很荣幸。我很想复制你的电路。
祝你和你的尝试好运。
真诚的Lost_bro（半个地球的距离）
――――――――――――――――――――
复：“Lost_bro”
承蒙夸奖。成功归功于我们的团队。感谢我的团队！
是的，CMF20120在这里是串联的。MOSFET之间的均压，以及由R组成的直流均压和用RC组成的动态均压是重要的(RC是指动态吸收网络，用来消除由于MOS开关时间差异造成的在某一单个MOS上的电压突变。比如说：6个MOS串联，由于驱动信号到达MOS栅极的信号有小的不同步——通常是NS级别——其它的5个MOS可能在第一时间内完全导通，只有一个最后导通，那么前面5个MOS导通后的电压就全部加到了最后一个导通的MOS上面。这时如果没有RC组成的吸收网络来承受电个电压，那么最后一个MOS管就可能因为过压而烧毁）。
欢迎到我们的论坛交流信息。中国是一个好客的国家，如果你有什么有用的信息和想法，欢迎与我们分享。“半个地球的距离”不算太远。
祝好
真诚的咸柑桔
――――――――――――――――――
在帖子的开篇，“咸柑桔”介绍到：
这是一个早期制造的简单版本，因为没有降压部分，所以不能自驱：
灯泡是100W的，第一块板是做的12V升压的，可以升到500－1600V（再高那4个串起来的电解电容就爆了，450V120μF）。视频中所调的电位器是用来调节升压后高压包输出电压的。可以看到当调高高压包的电压时后级明显变亮。
其实本来打算直接把后级的10个灯泡烧掉的，但4个电容的最高耐压只有2500V，怕电容不安全，所以没敢。
就是在高压下，再经过电容产出电流，重点是，电容是那个的2倍。
L2线圈同向绕制，只是中间抽了个头。
这是受《特斯拉的温泉日记》的启示，特斯拉给出了谐振的最佳驱动方式。
电路的频率大约230 kHz。
――――――――――――――
“咸柑桔”答问：
问：和1/4波长没啥关系，就是不知道L1和L2的线长有没有1/4的关系？
答：感觉关系不是很大，只跟相位有比较重要一点的关系。
问：锁相和特定的相位差都要吗？
答：基本是定频的，试过锁相，效果差不多，只是增加了制作难度，反而更不稳定。
问：直接推？难道火花间隙的作用只是用来放压而已嘛？
答：其实可以用电子管推。
问：如果直推负载超大，用的电流也会变大。如果用火花隙，隙开，有负载火花会变小。电流变化不大。
答：如果负载会影响输入的话，你用火花隙也是推不动，如果用火花能推起振，那说明负载不会把初级输入拉大。火花只是个开关，它隙不开什么。
问：负载与初级有直接的楞次关系吗？
答：调好了相位，次级不对初级产生负面影响。
对于他的电路，“咸柑桔”说：
稳压二极管（或双向TVS）在这个电路里的作用是用来限制驱动MOS管G极电压的，比如稳定在正负20V。以上的电路只是表达了这种串联MOS方式的一种结构。具体参数要根据你自己实际使用的MOS的要求来施工。
T1－T40的初级电源电压E0可以调节，这种电源可以用TL494IC用12V或逆变可调稳压方案制作。其电压值取决于你所串联MOS的个数和G极电压参数以及隔离变压器的匝数比例。这样，所有的MOS都有一个隔离变压器，各个变压器的初级全部用一条导线做串联，每个变压器初级的匝数都完全一致。由驱动开关IGBT（或MOS）这里标注的是VT6提供的高频率脉冲电流来驱动MOS的G极，从而达到开关时间尽可能的一致性。
在我的电路中，使用的频率是220KHZ，在此频率下，我串联了6只CMF20120的SIC的MOS。（1200V37A？RDS80毫欧）这种CREE的MOS性能优良，不过驱动方面你要认真设计，G极驱动电压－2V至22V较为合适。特别强调，MOS的串联使用均压和驱动都是相当重要的，特别是驱动信号的同步性，驱动信号的上升和下降时间都要尽可能的短，这样开关的时间差异就会短，有利于模块的高频率工作，对整个电路的稳定工作至关重要。
第三章:静脉冲系统
“咸柑桔”的唐复制
论坛ID是“咸柑桔”的、中国的一个开发者非常成功地复制了唐·史密斯的重要装置。用12V在1至2A（24瓦）的输入把10个100瓦的灯泡点得雪亮。作者的视频：
这是那个视频的一些截频：
所用电路如下所示：
随后，一名墨西哥人在论坛发帖说：
您好，咸柑桔！
喜欢您的视频!! 非常欣赏你和你的团队在开发和完善唐•史密斯/特斯拉自由能源设备所做的大量工作。谢谢你投身于这样一个崇高的事业。
我被你的开关网络利用CREE CMF20120迷住了。你是怎样接线MOSFET的？
您用UCC3825A PWM来给出时钟信号>MOSFET>栅极驱动变压器(X3)>推挽晶体管>CMF20120？你串联CMF20120吗？对不起，这么多问题，但我的确对你的智慧印象深刻，并完全同意你的固态解决方案，勿庸置疑，其好处超过了特斯拉的传统的火花隙。
如果你能花时间来回答我的问题，我将很荣幸。我很想复制你的电路。
祝你和你的尝试好运。
真诚的Lost_bro（半个地球的距离）
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复：“Lost_bro”
承蒙夸奖。成功归功于我们的团队。感谢我的团队！
是的，CMF20120在这里是串联的。MOSFET之间的均压，以及由R组成的直流均压和用RC组成的动态均压是重要的(RC是指动态吸收网络，用来消除由于MOS开关时间差异造成的在某一单个MOS上的电压突变。比如说：6个MOS串联，由于驱动信号到达MOS栅极的信号有小的不同步——通常是NS级别——其它的5个MOS可能在第一时间内完全导通，只有一个最后导通，那么前面5个MOS导通后的电压就全部加到了最后一个导通的MOS上面。这时如果没有RC组成的吸收网络来承受电个电压，那么最后一个MOS管就可能因为过压而烧毁）。
欢迎到我们的论坛交流信息。中国是一个好客的国家，如果你有什么有用的信息和想法，欢迎与我们分享。“半个地球的距离”不算太远。
祝好
真诚的咸柑桔
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在帖子的开篇，“咸柑桔”介绍到：
这是一个早期制造的简单版本，因为没有降压部分，所以不能自驱：
灯泡是100W的，第一块板是做的12V升压的，可以升到500－1600V（再高那4个串起来的电解电容就爆了，450V120μF）。视频中所调的电位器是用来调节升压后高压包输出电压的。可以看到当调高高压包的电压时后级明显变亮。
其实本来打算直接把后级的10个灯泡烧掉的，但4个电容的最高耐压只有2500V，怕电容不安全，所以没敢。
就是在高压下，再经过电容产出电流，重点是，电容是那个的2倍。
L2线圈同向绕制，只是中间抽了个头。
这是受《特斯拉的温泉日记》的启示，特斯拉给出了谐振的最佳驱动方式。
电路的频率大约230 kHz。
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“咸柑桔”答问：
问：和1/4波长没啥关系，就是不知道L1和L2的线长有没有1/4的关系？
答：感觉关系不是很大，只跟相位有比较重要一点的关系。
问：锁相和特定的相位差都要吗？
答：基本是定频的，试过锁相，效果差不多，只是增加了制作难度，反而更不稳定。
问：直接推？难道火花间隙的作用只是用来放压而已嘛？
答：其实可以用电子管推。
问：如果直推负载超大，用的电流也会变大。如果用火花隙，隙开，有负载火花会变小。电流变化不大。
答：如果负载会影响输入的话，你用火花隙也是推不动，如果用火花能推起振，那说明负载不会把初级输入拉大。火花只是个开关，它隙不开什么。
问：负载与初级有直接的楞次关系吗？
答：调好了相位，次级不对初级产生负面影响。
对于他的电路，“咸柑桔”说：
稳压二极管（或双向TVS）在这个电路里的作用是用来限制驱动MOS管G极电压的，比如稳定在正负20V。以上的电路只是表达了这种串联MOS方式的一种结构。具体参数要根据你自己实际使用的MOS的要求来施工。
T1－T40的初级电源电压E0可以调节，这种电源可以用TL494IC用12V或逆变可调稳压方案制作。其电压值取决于你所串联MOS的个数和G极电压参数以及隔离变压器的匝数比例。这样，所有的MOS都有一个隔离变压器，各个变压器的初级全部用一条导线做串联，每个变压器初级的匝数都完全一致。由驱动开关IGBT（或MOS）这里标注的是VT6提供的高频率脉冲电流来驱动MOS的G极，从而达到开关时间尽可能的一致性。
在我的电路中，使用的频率是220KHZ，在此频率下，我串联了6只CMF20120的SIC的MOS。（1200V37A？RDS80毫欧）这种CREE的MOS性能优良，不过驱动方面你要认真设计，G极驱动电压－2V至22V较为合适。特别强调，MOS的串联使用均压和驱动都是相当重要的，特别是驱动信号的同步性，驱动信号的上升和下降时间都要尽可能的短，这样开关的时间差异就会短，有利于模块的高频率工作，对整个电路的稳定工作至关重要。
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